CVD系統(tǒng)適用領(lǐng)域：

    CVD系統(tǒng)設(shè)備由沉積溫度控件、沉積反應(yīng)室、真空控制部件和氣源控制備件等部分組成亦可根據(jù)用戶(hù)需要設(shè)計(jì)生產(chǎn)，除了主要應(yīng)用在碳納米材料制備行業(yè)外，現(xiàn)在正在使用在許多行業(yè)，包括納米電子學(xué)、半導(dǎo)體、光電工程的研發(fā)、涂料等領(lǐng)域 。

    CVD成長(zhǎng)系統(tǒng)是利用氣態(tài)化合物或化合物的混合物在基體受熱面上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而在基體表面上生成不揮發(fā)涂層的一種薄膜材料制備系統(tǒng)。

CVD系統(tǒng)產(chǎn)品的特點(diǎn)：
    1.兼容、常壓、微正壓多種主流的生長(zhǎng)模式
    2.可以在1000Pa-0.1Pa之間任意氣壓下進(jìn)行石墨烯的生長(zhǎng)
    3.使用計(jì)算機(jī)控制，可以設(shè)置多種生長(zhǎng)參數(shù)
    4.可以制備高質(zhì)量，大面積石墨烯等碳材料，尺寸可達(dá)數(shù)厘米，研究動(dòng)力學(xué)過(guò)程
    5. 沉積效率高；薄膜的成分可控，配比范圍大；厚度范圍廣，由幾百埃至數(shù)毫米，可以實(shí)現(xiàn)厚膜沉積且能大量生產(chǎn)

產(chǎn)品用途：

此款CVD系統(tǒng)適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測(cè)試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控

生長(zhǎng)、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結(jié)真空淬火退火，快速降溫等工藝實(shí)驗(yàn)。

產(chǎn)品組成：

配置：

1.1200度開(kāi)啟式真空管式爐（可選配多溫區(qū)）。

2.滑動(dòng)系統(tǒng)分為手動(dòng)、電動(dòng)滑動(dòng)，并配有風(fēng)冷系統(tǒng)。

3.多路質(zhì)量流量控制系統(tǒng)

4.真空系統(tǒng)（可選配中真空或高真空）    




控制電路選用模糊PID程控技術(shù)，該技術(shù)控溫精度高，熱慣性小，溫度不過(guò)沖，性能可靠，操作簡(jiǎn)單。



中真空系統(tǒng)具有真空度上下限自動(dòng)控制功能，高真空系統(tǒng)采用高壓強(qiáng)，耐沖擊分子泵，防止意外漏氣造成分子泵損壞，延長(zhǎng)系統(tǒng)使用壽命。

電動(dòng))滑動(dòng)系統(tǒng)采用溫度控制器自動(dòng)控制爐體移動(dòng)，等程序完成，爐體按設(shè)定的速度滑動(dòng)，因有滑動(dòng)限位功能爐體不會(huì)發(fā)生碰撞，待樣品露出爐體后，通過(guò)風(fēng)冷系統(tǒng)快速降溫。